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还在为高压应用中的功率器件选型而犹豫吗？让STF12NK80Z来为您提供强大助力！这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有800V的漏源电压和10.5A的连续电流能力，专为要求高效率与高可靠性的场景设计。

它能为您做什么？其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，这直接转化为更低的传导与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。高达40W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下的稳定表现。选择它，您就为产品注入了强劲、可靠的“心脏”，轻松应对各种高压功率挑战。

• 型号:STF12NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 5.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。