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还在为高压开关应用的效率和热管理头疼吗？让STD7NM50N为您分忧！这颗N沟道MOSFET是您提升系统性能的得力助手。

它拥有500V的高耐压和5A的电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅780毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的电源转换更高效、发热更少。同时，优化的栅极电荷（12nC）让开关动作干净利落，进一步减少损耗，提升整体响应速度。

采用坚固的DPAK封装，它能轻松耗散高达45W的功率，并适应-55°C到150°C的严酷工作环境。选择它，就是为您的开关电源、PFC电路或电机驱动项目，选择了一份经过验证的可靠与高效。

• 型号:STD7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。