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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STP19NF20正是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET拥有200V的耐压和15A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极低的导通损耗最大仅160毫欧的导通电阻，让您在开关电源或电机驱动应用中，能显著降低能量损耗，提升整体系统效率。

它能让您轻松应对高频开关的挑战。得益于优化的栅极电荷（Qg仅24nC）和输入电容，STP19NF20具备快速的开关速度，这不仅减少了开关损耗，也让您的电路设计更简洁高效。高达90W的功率耗散能力，配合经典的TO-220AB封装，确保了出色的散热性能，让您的设备运行更稳定、更持久。

• 型号:STP19NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。