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您正在寻找一颗能兼顾高耐压、低损耗与可靠性的功率开关吗？STP2NK60Z正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达600V的击穿电压和1.4A的电流处理能力，专为提升您的开关电源、LED驱动及各种功率转换电路的效率而设计。

它能让您轻松应对高压环境，其优化的8欧姆导通电阻（最大值）和低栅极电荷特性，直接转化为更低的导通与开关损耗，帮助您的系统运行得更凉爽、更节能。经典的TO-220AB封装确保了出色的功率耗散能力（最大45W），安装简便，散热高效，是您构建稳健、耐用电力电子产品的理想选择。

• 型号:STP2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。