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还在为高压电源设计的效率与可靠性头疼吗？让STU2N105K5来为您分忧！这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，是专为高压开关应用而生的高效能手。

它拥有高达1050V的耐压和仅8欧姆的优异导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源系统运行更凉爽、能效更高。同时，其极低的栅极电荷和输入电容，让驱动设计变得异常轻松，助力您实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件体积，优化整体方案成本。

无论是工业电源、LED驱动还是电机控制，STU2N105K5都能让您轻松驾驭高压挑战，打造出更紧凑、更高效、更可靠的产品，赢得市场先机。

• 型号:STU2N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 750mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:115 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU2N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。