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还在寻找那颗能同时满足高效率、高可靠性和易驱动需求的功率开关管吗？STF20N65M5正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和18A的强大电流能力，其核心价值在于极低的190毫欧导通电阻与优化的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗。

这意味着，在您的电源转换或电机驱动设计中，它能帮助您轻松提升系统整体效率，减少热量产生，让设备运行更凉爽、更安静、更持久。无论是面对严苛的工业环境还是追求极致能效的消费级产品，它都能让您的设计游刃有余，是实现高性能、高可靠性功率系统的理想选择。

• 型号:STF20N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1345 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF20N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。