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STD70NH02LT4 零件图片(仅供参考)

STD70NH02LT4
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STD70NH02LT4 规格参数

还在为开关损耗和散热问题头疼吗?让STD70NH02LT4来为您分忧!这颗N沟道MOSFET是ST意法半导体STripFET II家族的经典之作,它能轻松驾驭高达60A的连续电流,并以低至8毫欧的导通电阻,显著降低您在同步整流或电机驱动应用中的能量损耗。

凭借其24V的漏源电压和优化的栅极电荷特性,它能让您的系统开关更迅速、运行更凉爽。表面贴装的DPAK封装节省空间,同时确保高达70W的功率处理能力,是您打造高效、紧凑型电源和驱动方案的得力助手。

  • 型号:STD70NH02LT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):24 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):8 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2050 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):70W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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STD70NH02LT4 基本参数:

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