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还在为功率转换系统的效率瓶颈寻找突破口吗？STD60NF55LAT4正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道MOSFET，集成了SuperFET II先进技术，旨在让您的设计轻松驾驭高达60A的电流。

它凭借低至15毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让电能更高效地传递，同时减少发热。其优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，帮助您提升系统频率和响应速度，尤其是在电机驱动、DC-DC转换和各类电源开关应用中表现卓越。宽泛的工作温度范围和坚固的DPAK封装，更让它能从容应对严苛环境，为您的产品可靠性保驾护航。

• 型号:STD60NF55LAT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±15V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60NF55LAT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。