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还在为高压大电流应用的效率瓶颈和散热设计头疼吗？STB42N65M5正是为您破解难题而来。这颗650V/33A的N沟道MOSFET，凭借其MDmesh V技术，实现了惊人的低导通电阻（仅79mΩ），能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对服务器电源、工业驱动等高要求场景，其优化的动态参数（如低栅极电荷）更能助力您提升开关频率，从而缩小整体方案尺寸。高达190W的功率处理能力和150°C的结温，为您提供了充裕的设计余量和可靠性保障。选择STB42N65M5，就是选择了一条通往更高功率密度和更强竞争力的捷径。

• 型号:STB42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB42N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。