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您是否正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持冷静高效的功率开关？STD55NH2LLT4正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有24V耐压和高达40A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电能转换损失降到最低。

凭借STripFET技术的加持，它在10V驱动下导通电阻仅11毫欧，能显著减少开关过程中的热量产生，直接提升系统整体能效。同时，其低栅极电荷特性让驱动变得异常轻松，简化您的电路设计。无论是用于提升电源模块的转换效率，还是增强电机驱动的爆发力，它都能让您的产品运行更稳定、性能更出众。

• 型号:STD55NH2LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD55NH2LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。