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还在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关解决方案吗？STD2LN60K3正是为您而来的答案。这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源击穿电压和2A的连续电流能力，专为要求苛刻的功率转换应用而设计。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。4.5欧姆的最大导通电阻配合优化的动态参数，让您轻松提升电源效率，减少热量产生。无论是用于开关电源、LED驱动还是家用电器中的电机控制，它都能让您的系统运行更凉爽、更安静、更持久。

采用坚固的DPAK表面贴装封装，STD2LN60K3在节省PCB空间的同时，提供了卓越的功率耗散能力。选择它，就是为您的产品注入了来自ST意法半导体的高效与可靠基因，助您快速实现高性能设计。

• 型号:STD2LN60K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:235 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2LN60K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。