我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD5NK52ZD现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压开关重任的“硬核”MOSFET吗？STD5NK52ZD正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体的SuperMESH技术，拥有520V的高耐压和4.4A的电流处理能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明系统时，轻松应对高压输入，同时保持系统高效稳定运行。

这颗芯片的精髓在于其卓越的开关性能。极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量形式浪费，直接帮您提升系统效率并简化散热设计。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速、干净的开关动作，这不仅有助于提高工作频率，还能有效降低电磁干扰（EMI），让您的产品更容易通过各项认证。采用坚固的DPAK表面贴装封装，它既适合自动化大批量生产，又能提供可靠的功率耗散能力。

总而言之，STD5NK52ZD是一款以成熟可靠著称的高性能功率开关。它能让您以更具竞争力的成本，构建出高效、坚固的电力电子核心，是工程师在高压应用领域值得信赖的经典之选。

• 型号:STD5NK52ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:520 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK52ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。