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您正在设计需要高效功率切换的电路吗？STD47N10F7AG正是您理想的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达100V的电压和45A的连续电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅18毫欧），这直接意味着更少的能量损耗和更低的发热，让您的电源转换、电机驱动或负载开关应用运行得更冷静、更高效。

它基于先进的STripFET F7技术打造，不仅开关性能出色，栅极电荷（Qg）低至25nC，有助于提升开关频率、减小驱动损耗，让您的系统设计更灵活。更值得一提的是，它符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，具备从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保在恶劣环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了高效与耐用的双重基因。

• 型号:STD47N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD47N10F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。