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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益与高可靠性的射频放大核心吗？PD54008L-E就是您的理想答案。这颗基于LDMOS技术的射频晶体管，专为500MHz频段优化，能轻松输出8W功率，并提供高达15dB的增益，让您的信号放大链路设计变得前所未有的高效和简洁。

它采用紧凑的PowerVDFN封装，节省空间的同时，其优异的电气特性（如25V额定电压、5A额定电流）确保了在严苛应用中的稳定表现。无论是驱动通信设备还是工业系统，PD54008L-E都能让您轻松获得强劲、纯净的放大性能，显著提升终端产品的竞争力和可靠性。

• 型号:PD54008L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:8W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD54008L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。