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STD40P8F6AG 零件图片(仅供参考)

STD40P8F6AG
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STD40P8F6AG 规格参数

还在为复杂的功率管理设计头疼吗?让STD40P8F6AG来为您简化一切!这颗来自意法半导体的汽车级P沟道MOSFET,是您实现高效、可靠电源转换的得力助手。

它能够轻松处理高达80V的电压和40A的连续电流,让您在设计车载充电器、电机驱动或工业电源时信心十足。其符合AEC-Q101标准,确保了在极端温度和环境下的卓越稳定性,大幅提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。选择它,就是选择了一个经过验证的高性能解决方案,让您的产品脱颖而出。

  • 型号:STD40P8F6AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 80V DPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):73 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4112 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD40P8F6AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD40P8F6AG 基本参数:

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