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还在寻找一颗能扛起大电流、压得住高电压的功率开关吗？IRFP250正是为您而来！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有200V的耐压和高达33A的连续电流处理能力，让您在设计大功率电机驱动、高效开关电源或可靠的UPS系统时，拥有一个坚实可靠的核心。

它采用先进的PowerMESH II技术，实现了低至85毫欧的导通电阻，这意味着更低的导通损耗和更高的系统效率，直接帮您节省能源成本。同时，其优化的栅极电荷和坚固的TO-247封装，确保了快速、干净的开关性能与出色的散热能力，让您的设备运行更稳定、更持久。

• 型号:IRFP250
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• IRFP250，ST（意法半导体）产品一站式供应商。