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您是否正在寻找一颗能在高压环境中稳定高效工作的“开关”？STD3LN80K5正是为您而来。这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，拥有高达800V的耐压和2A的电流处理能力，其核心使命就是让您轻松驾驭高压电源转换，显著降低系统的导通与开关损耗。

得益于先进的MDmesh技术，它在保持低至3.25欧姆导通电阻的同时，还具备了极低的栅极电荷和输入电容。这意味着它能被快速驱动，实现高效开关，从而让您的电源设计整体效率更高、发热更少、体积更紧凑。无论是面对-55°C到150°C的严苛工作温度，还是高强度的连续工作，它都能可靠运行，是提升产品性能和可靠性的理想选择。

• 型号:STD3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。