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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压、高效节能的功率开关吗？STF10N105K5就是您的理想之选！这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达1050V的击穿电压和6A的连续电流能力，让您在工业电源、电机驱动等高压应用中从容应对挑战。

它的核心魅力在于极致的效率。1.3欧姆的低导通电阻与优化的栅极电荷，能显著降低开关和传导损耗，直接为您节省能源，减少散热设计压力。TO-220FP封装确保了出色的热性能，宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则赋予了它无与伦比的环境适应性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STF10N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。