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您正在寻找一颗能在大电流下依然保持冷静与高效的功率开关吗？STD35NF3LLT4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借STripFET II先进技术，能轻松处理高达35A的连续电流，而其超低的导通电阻能显著减少功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关设计更加游刃有余。优异的开关特性配合DPAK封装，不仅节省空间，更能确保在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能保障。

• 型号:STD35NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD35NF3LLT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。