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还在寻找能轻松驾驭25A大电流的功率开关吗？STS25NH3LL-E正是为您的高效能源转换设计而生。这颗N沟道MOSFET拥有仅3.5毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更节能。

它采用紧凑的8-SO封装，易于集成，其宽广的-55°C至175°C工作温度范围确保在各种严苛环境下稳定可靠。无论是用于同步整流、DC-DC转换还是电机控制，STS25NH3LL-E都能以卓越的性能，助您轻松提升产品能效与可靠性。

• 型号:STS25NH3LL-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 25A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS25NH3LL-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。