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还在寻找那颗能兼顾高效、可靠与紧凑的功率开关吗？STD25N10F7正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和25A的强大电流能力，其核心价值在于采用先进的STripFET VII技术，实现了惊人的低导通电阻（仅35毫欧@10V），能显著降低您系统中的传导损耗，提升整体能效。

它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或电源管理设计运行得更“冷静”、更高效。极低的栅极电荷（14nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，而宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则确保了它在各种苛刻环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了高效可靠的动力核心。

• 型号:STD25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD25N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。