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还在为高功率应用中的开关损耗和散热问题头疼吗？让STW50NB20来为您分忧！这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和50A的强大电流处理能力，专为 demanding 的功率转换场景设计。

它采用ST先进的PowerMESH技术，在10V驱动下导通电阻极低，能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更凉爽、更高效。同时，其优化的开关特性有助于提升整体能效，而坚固的TO-247封装确保了出色的散热性能，即使在高温环境下也能稳定工作。

无论是升级现有设计还是开发高性能新品，STW50NB20都能让您轻松应对高功率挑战，是实现高效、可靠功率管理的理想选择。

• 型号:STW50NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:280W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW50NB20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。