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想象一下，一颗芯片就能让您的大功率设备运行得更冷静、更高效、更持久。STGW20IH125DF正是这样一款为您而生的高性能IGBT。它集1250V高压耐受、40A持续电流与低至2.5V的导通压降于一身，核心使命就是大幅降低您系统中的开关与导通损耗，直接提升整体能效，同时其坚固的TO-247封装和宽工作温度范围确保了极高的可靠性。

它采用先进的沟槽场截止技术，开关速度快，损耗低。无论是驱动电机、转换太阳能，还是构建可靠的电源系统，这颗芯片都能让您的设计事半功倍，轻松应对高功率密度与高可靠性的双重挑战，是您打造下一代高效电力电子产品的理想心脏。

• 型号:STGW20IH125DF
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1250V 40A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1250 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.5V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:410J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:68 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/106ns
• 测试条件:600V，15A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247
• STGW20IH125DF，ST（意法半导体）产品一站式供应商。