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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、同时保持系统稳定可靠的功率开关？STD18N55M5正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有550V高耐压和16A大电流处理能力，其核心价值在于极低的192毫欧导通电阻，能大幅减少导通损耗，让您的电能转换更加高效。

得益于先进的MDmesh V技术，它具备快速的开关特性和低栅极电荷，能有效降低开关损耗，轻松应对高频应用。高达110W的功率耗散和150°C的工作结温，确保了它在严苛环境下的持久可靠性。无论是用于电源、电机驱动还是逆变器，它都能让您的设计更紧凑、性能更卓越。

• 型号:STD18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD18N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。