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还在寻找那颗能平衡性能、效率与成本的功率开关吗？STU9N60M2正是为您的中功率应用量身打造的解决方案。它基于先进的MDmesh II Plus技术，拥有600V的漏源击穿电压和5.5A的连续漏极电流能力，让您在设计开关电源、PFC电路或电机驱动时底气十足。

这颗芯片的核心价值在于让您的系统运行得更“轻松”。其低至780毫欧的导通电阻显著降低了导通损耗，而优化的栅极电荷（10nC）和输入电容则大幅减少了开关损耗。这意味着更少的能量以热量的形式浪费掉，从而让您的终端产品能效更高、温升更低、可靠性更强。无论是提升现有设计的性能，还是开发新一代高效能产品，STU9N60M2都能助您一臂之力。

• 型号:STU9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU9N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。