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当您的设计需要处理高达800V的电压并流畅控制8A电流时，STP10LN80K5就是您理想的功率开关解决方案。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，旨在让您的电源系统运行得更冷静、更高效。

它凭借极低的导通电阻（最大630mΩ）和栅极电荷（仅15nC），能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效。这意味着您不仅可以轻松达成更严格的能效标准，还能减少散热设计压力，实现更紧凑的产品布局。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220封装，确保它在工业电源、电机驱动、光伏逆变器等苛刻应用中同样稳定可靠。

简而言之，STP10LN80K5将帮助您以更低的系统总成本，构建出性能更强、体积更小、寿命更长的电力电子设备，是推动您产品升级换代的强大引擎。

• 型号:STP10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。