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STD17NF25 零件图片(仅供参考)

STD17NF25
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STD17NF25 规格参数

您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、低损耗和高可靠性的功率开关芯片吗?STD17NF25正是您的理想之选。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET,拥有250V的漏源电压和17A的连续电流能力,其超低的165毫欧导通电阻能显著降低导通损耗,让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对服务器电源、工业变频器、大功率LED驱动等应用中的高压开关挑战。优化的开关特性有助于提升系统频率,减小整体尺寸。同时,其坚固的DPAK封装和宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C),确保了在各种环境下长久稳定的性能表现,是您构建高性能、高可靠性功率电路的强大基石。

  • 型号:STD17NF25
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DPAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):250 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):165 毫欧 @ 8.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):29.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1000 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):90W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD17NF25,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD17NF25 基本参数:

  • 电子零件型号:STD17NF25
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD17NF25的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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