我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGB30H65FB现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在为高功率开关应用寻找一颗既能扛住高压大电流，又能快速响应、高效运行的核心器件吗？STGB30H65FB正是为您而来的解决方案！这颗来自意法半导体的650V/60A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS系统运行得更凉爽、更节能。

它拥有低至2V的饱和压降和优异的开关速度，能帮助您轻松提升整体能效和功率密度。同时，其坚固的封装和高达175°C的结温工作能力，确保了在苛刻环境下的长期可靠性。选择STGB30H65FB，就是为您的设计注入高效与稳定的双重保障，让产品性能脱颖而出。

• 制造商产品型号：STGB30H65FB
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：IGBT
• 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
• 产品系列：HB
• 零件状态：有源
• IGBT类型：沟槽型场截止
• 电压-集射极击穿（最大值）：650V
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：60A
• 电流-集电极脉冲(Icm)：120A
• 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，30A
• 功率-最大值：260W
• 开关能量：151J（开），293J（关）
• 输入类型：标准
• 栅极电荷：149nC
• 25°C时Td（开/关）值：37ns/146ns
• 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间(trr)：-
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：TO-263-3，DPak（2 引线 + 接片），TO-263AB
• STGB30H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。