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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STGB20M65DF2正是为您破局而来的利器。这颗650V/40A的沟槽场截止IGBT，以其低至2V的导通压降和优化的开关特性，能显著降低系统的导通与开关损耗，直接提升您的整机效率，并让热管理变得更加轻松。

它能让您在设计伺服驱动器、UPS或光伏逆变器时更加得心应手。高达175°C的结温工作能力和DPak封装带来的优异散热性能，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。选择STGB20M65DF2，就是选择了一个高效、耐用且易于实施的功率开关解决方案，助您快速打造出具有市场竞争力的高性能产品。

• 型号:STGB20M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:166 W
• 开关能量:140J（导通），560J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:63 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/108ns
• 测试条件:400V，20A，12 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):166 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
• STGB20M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。