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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STD9N40M2专为攻克此难题而生！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集400V高耐压、6A强电流与MDmesh II Plus低损耗技术于一身，能显著降低您的系统导通与开关损耗，让电能转换更高效，发热更少。

它能让您轻松驾驭开关电源、电机驱动、LED照明及各类功率转换应用。极低的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关响应，帮助您提升系统工作频率与功率密度。其坚固的DPAK封装和宽泛的工作温度范围，更赋予了产品卓越的可靠性与耐久性，是您打造高效、紧凑、稳定功率方案的理想核心器件。

• 型号:STD9N40M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9N40M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。