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STD15N65M5 零件图片(仅供参考)

STD15N65M5
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STD15N65M5 规格参数

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗?STD15N65M5 N沟道MOSFET专为解决您的核心痛点而来。它凭借ST先进的MDmesh V技术,在650V高压和11A电流下,实现了超低的导通电阻与栅极电荷,能显著降低开关损耗和导通损耗,让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么?它能让您的设计轻松应对严苛的工业环境,其高达150°C的结温工作能力和优异的散热性能,确保了长期运行的绝对可靠性。无论是提升功率密度,还是简化散热设计,STD15N65M5都是您实现高性能、高可靠性电源方案的理想选择。

  • 型号:STD15N65M5
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • STD15N65M5,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD15N65M5 基本参数:

  • 电子零件型号:STD15N65M5
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N CH 650V 11A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD15N65M5的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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