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还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STB141NF55-1就是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V耐压和高达80A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅8毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用先进的STripFET II技术，优化了开关特性。合理的栅极电荷设计让您能轻松实现快速、干净的开关切换，从而提升系统整体频率与效率。无论是应对工业环境的严苛温度（-55°C ~ 175°C），还是满足通孔安装（I2PAK封装）的可靠需求，它都能稳健胜任，助您构建更强大、更可靠的电力核心。

• 型号:STB141NF55-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB141NF55-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。