我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL19N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高功率密度的“心脏”级功率开关？STL19N60M6正是您的理想之选。它基于意法半导体先进的MDmesh M6技术，集600V高压耐受与11A强电流驱动能力于一身，专为攻克电源转换中的损耗难题而来。

这颗芯片能为您做什么？它凭借低至308毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更“冷静”、更高效。其创新的PowerFlat HV封装，让您在追求极致功率的同时，也能轻松实现紧凑的板级设计，完美平衡性能与空间。选择STL19N60M6，就是为您的下一代高性能产品注入一颗强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STL19N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL19N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。