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还在寻找那颗能扛起大电流重任又兼顾高效表现的“核心开关”吗？STD130N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达80A的连续电流承载能力，而其导通电阻却可低至惊人的5毫欧。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它专为 demanding 应用而优化，极低的栅极电荷确保快速开关，减少开关损耗，提升整体频率响应。无论是用于提升服务器电源的能效，驱动新能源车的车载充电机，还是控制工业设备中的大功率负载，STD130N6F7都能让您轻松应对高功率挑战。其坚固的DPAK封装和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，更为您的设计提供了坚实的可靠性保障，助您打造出性能出众且耐久耐用的终端产品。

• 型号:STD130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:134W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD130N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。