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您正在寻找一颗能扛起大电流、耐高压，同时还能保持冷静与高效的核心功率开关吗？STP30NF20正是为您而来的解决方案。这颗基于先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有200V耐压和30A的强大电流处理能力，其超低的75毫欧导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，运行起来更凉爽、更节能。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作变得更轻松。优化的栅极电荷和电容特性，意味着它易于驱动且开关迅速，能有效降低开关损耗，简化您的驱动电路设计。采用坚固可靠的TO-220AB封装，散热性能优异，确保在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作。选择STP30NF20，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的心脏，轻松应对从工业控制到消费电子的各种功率挑战。

• 型号:STP30NF20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1597 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NF20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。