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还在为电源转换效率瓶颈而烦恼吗？STD11NM50N正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V高耐压和仅470毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更低的温升。

它高达8.5A的电流承载能力和70W的功率耗散，确保了强大的功率处理能力，同时，优化的栅极电荷和输入电容特性，让驱动更简单，开关更迅速。无论是用于开关电源、电机控制还是LED驱动，STD11NM50N都能帮助您构建更紧凑、更高效、更可靠的系统，直接提升您终端产品的市场竞争力。

• 型号:STD11NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:470 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:547 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD11NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。