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您正在设计需要强大功率处理能力与高效开关性能的电路吗？STU75N3LLH6正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有30V的漏源电压和高达75A的连续漏极电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它采用了意法半导体先进的STripFET VI和DeepGATE技术，不仅开关速度快，而且栅极驱动要求友好，让您轻松实现高效能的电源转换与电机控制。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能提供稳定可靠的性能，助您轻松提升终端产品的能效与可靠性。

• 型号:STU75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU75N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。