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想象一下，一颗芯片就能让您的电源系统效率显著提升，运行更加冷静。这正是STP13N60M2为您带来的核心价值。它集成了600V的耐压和11A的电流处理能力，专为要求严苛的高压开关应用而优化。

得益于其MDmesh II Plus技术，这颗MOSFET实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）。这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的设备运行更高效、发热更少，从而提升整体系统可靠性并简化散热设计。无论是提升现有产品能效，还是开发新一代紧凑型电源，STP13N60M2都是您实现高性能目标的得力助手。

• 型号:STP13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP13N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。