我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGP8M120DF3现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高电压应用中的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让STGP8M120DF3为您带来变革。这颗来自意法半导体的1200V、16A IGBT，采用先进的沟槽型场截止技术，旨在为您提供卓越的功率处理能力。其低至2.3V的Vce(on)和优化的开关特性，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它集成了32nC的低栅极电荷和快速的开关速度，让您轻松实现高频、高效的功率转换设计，无论是电机驱动、太阳能逆变还是工业电源，都能应对自如。高达175°C的结温工作范围和坚固的通孔封装，更确保了其在严苛环境下的超强可靠性。选择STGP8M120DF3，就是为您的产品注入一颗强劲、高效且可靠的心脏。

• 型号:STGP8M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 16A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:16 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):32 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，8A
• 功率 - 最大值:-
• 开关能量:390J（导通），370J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:32 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:20ns/126ns
• 测试条件:600V，8A，33 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):103 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• STGP8M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。