我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD10NF30现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STD10NF30正是为此而来！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有300V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，是您构建高效电源转换和强劲电机驱动系统的理想核心。

它的卓越之处在于极低的导通电阻（典型值330毫欧@5A,10V），能显著减少导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷和输入电容让开关速度更快，损耗更低，轻松实现高效的高频开关操作。高达103W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在各种严苛环境下都能稳定可靠地工作。

无论是提升工业电源的能效，还是打造响应敏捷的电机驱动，亦或是满足汽车电子对品质的苛刻要求，STD10NF30都能以出色的性能，让您的设计事半功倍，助力产品赢得市场先机。

• 型号:STD10NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:103W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10NF30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。