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PD57060-E 零件图片(仅供参考)

PD57060-E
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PD57060-E 规格参数

您是否在寻找一颗能在945MHz频段提供强大且稳定功率放大的核心器件?PD57060-E正是为此而生。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率FET,能够轻松输出高达60W的功率,并具备14.3dB的增益,让您的信号放大链路设计更简洁、更高效。

它支持高达65V的额定电压和7A的电流能力,在28V典型工作条件下表现出卓越的坚固性和线性度。采用优化的PowerSO-10封装,散热性能出众,确保您的大功率应用能够长期稳定运行。无论是通信基础设施还是工业射频系统,PD57060-E都能让您轻松应对高要求的功率挑战,是实现高性能设计的理想选择。

  • 型号:PD57060-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:945MHz
  • 增益:14.3dB
  • 电压 - 测试:28 V
  • 额定电流(安培):7A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:100 mA
  • 功率 - 输出:60W
  • 电压 - 额定:65 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • PD57060-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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PD57060-E 基本参数:

  • 电子零件型号:PD57060-E
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 点击此处查询PD57060-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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