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还在为电源设计中开关器件的效率瓶颈而烦恼吗？STD10N60DM2就是为您破局的关键。这颗N沟道MOSFET拥有高达650V的击穿电压和8A的连续电流能力，让您在设计反激电源、电机驱动或PFC电路时信心十足，轻松应对高电压输入场景。

它采用了意法半导体先进的MDmesh DM2技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至530毫欧，同时栅极电荷极小。这意味着它能大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，直接提升能效等级和产品可靠性。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与安装便利性，是您打造紧凑、高性能功率模块的理想选择。

• 型号:STD10N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。