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还在寻找一颗能驾驭2GHz高频、输出稳定强劲的射频功率核心吗？PD20015C就是您的高效解决方案！这颗基于LDMOS技术的射频功率晶体管，能轻松将您的信号放大至15W，并提供高达11dB的增益，让您的无线通信链路设计事半功倍。

它能在高达40V的电压下稳定工作，具备7A的电流承载能力，为您的高要求射频应用提供了坚实的性能基础和可靠性保障。无论是用于放大链路的关键一级，还是作为功率输出的最终阶段，PD20015C都能让您轻松构建出高效、强健的射频前端系统。

• 型号:PD20015C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M243
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V M243
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:2GHz
• 增益:11dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:350 mA
• 功率 - 输出:15W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M243
• 供应商器件封装:M243
• PD20015C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。