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当您的设计需要一颗能“扛大旗”又“省电”的功率开关时，STD105N10F7AG正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达80A的电流处理能力，专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性应用而优化。

它的核心价值在于极致的效率。其超低的导通电阻（典型值）意味着在导通时损耗更小，电能得以高效传输，直接帮助您降低系统发热，提升整体能效。同时，优化的开关特性让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，打造更紧凑、功率密度更高的电源或电机驱动解决方案。

选择它，就是为您的产品注入了强劲、高效且可靠的心脏，让您在激烈的市场竞争中凭借卓越的性能脱颖而出。

• 型号:STD105N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4369 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:120W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD105N10F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。