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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受、高效能和节省空间的功率开关吗？STN3N40K3正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的SuperMESH3技术，拥有400V的漏源电压和1.8A的连续电流能力，让您能在AC-DC电源转换、LED驱动等应用中轻松应对高压环境，同时凭借低至3.4欧姆的导通电阻，显著降低功耗，提升系统整体能效。

这颗芯片的卓越之处还在于其易用性。仅需10V驱动电压即可充分发挥性能，且栅极电荷极低，让您的驱动电路设计更简单、开关更迅速。采用紧凑的SOT-223表面贴装封装，它能帮助您最大化节省宝贵的PCB板空间，实现更小巧、更集成的产品设计。选择STN3N40K3，就是选择了一条通往更高性能、更高可靠性与更优成本效益的清晰路径。

• 型号:STN3N40K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 欧姆 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN3N40K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。