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还在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的“能量开关”吗？STP100N6F7正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和高达100A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的5.6毫欧导通电阻，能显著降低您在电机驱动、电源转换等应用中的导通损耗，直接提升系统能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用先进的STripFET F7技术，优化了栅极电荷与电阻的平衡。这意味着它不仅导通损耗低，开关速度也更快，让您能轻松设计出更高频率、更紧凑的功率电路。无论是应对严苛的工业环境还是追求极致的消费级产品，STP100N6F7都能提供稳定可靠的性能，助您高效实现设计目标，赢得市场先机。

• 型号:STP100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP100N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。