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还在为功率器件的效率瓶颈和热管理难题烦恼吗？STP42N60M2-EP就是您的高效解决方案！这颗来自意法半导体MDmesh M2-EP家族的N沟道MOSFET，集600V高耐压与34A大电流能力于一身，旨在让您的电源和电机驱动设计脱胎换骨。

它凭借极低的87毫欧导通电阻和优化的开关特性，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。高达150°C的结温工作和250W的耗散功率，确保了它在恶劣环境下依然稳定可靠。无论是提升现有产品性能，还是开发新一代高效平台，选择它，就是选择了轻松实现高性能与高可靠性的捷径。

• 型号:STP42N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:87 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP42N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。