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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，且运行高效稳定的功率开关芯片吗？STGWA15M120DF3正是您的理想之选。它集1200V耐压与30A持续电流能力于一身，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高、发热更少。

这颗芯片能让您轻松应对严苛的工业环境。其低至2.3V的饱和压降和优化的开关特性，直接提升了系统的整体能效和功率密度。无论是用于变频驱动、不同断电源还是新能源逆变，它都能提供稳定可靠的性能表现，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STGWA15M120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:550J（导通），850J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:26ns/122ns
• 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):270 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA15M120DF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。