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还在为电源模块的效率和发热问题头疼吗？让STD100N3LF3来为您分忧！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有30V的耐压和高达80A的电流承载能力，其核心价值在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅5.5毫欧。这意味着它能显著降低您在开关状态下的功率损耗，直接提升系统整体能效。

它专为高效功率转换而优化。极低的栅极电荷让开关动作干净利落，减少开关损耗；宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）则赋予了它应对恶劣环境与持续高负载的坚韧体魄。无论是用于同步整流、电机驱动还是负载开关，STD100N3LF3都能让您的设计更高效、更可靠，轻松应对高电流挑战。

• 型号:STD100N3LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N3LF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。