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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STD7NM64N来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其640V的高压耐受能力和5A的连续电流，为您的高压开关、电源转换和电机控制应用提供坚固的核心。

它采用先进的MDmesh II技术，实现了极低的1.05欧姆导通电阻和仅14nC的栅极电荷。这意味着它能显著降低导通和开关损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽，轻松提升整体能效。其紧凑的DPAK封装和高达150°C的工作结温，更能让您在苛刻的环境下依然保持设计紧凑与可靠。

• 型号:STD7NM64N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:640 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM64N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。